Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Пирометры частичного излучения 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76

Интегральные схемы серий К167 и К504 представляют предусилители низких частот; изготовлены на единой кремниевой подложке в корпусе типа 301.8-2.

Для снижения коэффициента шума предварительного усилителя, а также для уменьшения чувствительности к помехам по цепи питания по сравнению с часто используемой схемой с общим истоком входную ступень усилителя целесообразно выполнять по параллельно-балансной схеме. На рис. 3.18 показана схема предварительного усилителя для согласования с приемниками излучения типа PbS, PbSe и Ge : Hg. Входные ступени этой схемы собраны на двух полевых транзисторах с р-п-переходом типа 5НТ041А, изго>-

а

0,015

гов

5шот =1-

С2 ЗбпФ

- R6

R9 18к

<2П303В

Выход

27326Б

R3 I8K

ЗЗи

R5V\

22к

10В

Рис. 3.18. Электрическая схема предварительного усилителя с высокоомным входом

товленных в виде интегральной пары. Применение в схеме генератора тока на транзисторах 2Т326Б в цепи истоков дифференциальной пары 5НТ041А позволяет увеличить стабильность усиления, степень подавленияпомех по цепям питания и добиться высокоэкономичного режима работы схемы.

Основные технические характеристики такого усилителя: коэффициент усиления при t/g = В, / = 1 кГц равен 80...120; напряжение шума при / = 5Гц - 5кГц не более 5,5 мкВ; нестабильность коэффициента усиления-в температурном интервале -40 ... + 60° С не более ±4% ; верхняя граничная частота 15 кГц; динамический диапазон при отношении UjU, = 3 и коэффициенте нелинейных искажений kf <: 5% равен 108 дБ; потребляемая-мощность не более 30 мВт.

В настоящее время освоен выпуск ИС Эстафета (рис. 3.19), являющейся перспективным предварительным усилителем для ПИ на основе InSb,. имеющих темновое сопротивление порядка нескольких десятков килоом.. Обр'азцы ИС Эстафета изготовлены на кремнии с биполярными транзисторами и заключены в корпус 401.14-2; Параметры ИС Эстафета приведены' в табл. 3.2.

Современные ПИ на основе тройных соединений HgCdTe, PbSnTe, PbSnSe имеют темновое сопротивление 50-500 Ом и уровень шума на частоте 1 кГц. 0,7-1,5 нВ/Гц - для фотодиодов и 2-4 нВ/Гц - для фоторезисторов. Создание предварительных усилителей для таких приемников возможно лишь на отдельных образцах биполярных кремниевых транзисторов, например.



2Т211Б. При их использовании на частоте 1 кГц и при сопротивлении источника сигнала 200 Ом удается достигнуть уровня шума менее 1 нВ/Гц

На рис. 3.20 показана электрическая схема измерительного полупроводникового усилителя, обеспечивающего от источника питания типа 7Д-0,1 коэффициент усиления К(/ акс 15000, полосу пропускания по уровню 0,7 Д/ = 600-1300 Гц, уровень шума t = 1,65 нВ/Гц!/?.

т

2 2

15 Вход!


Выхад

Рис. 3.19. Электрическая схема ИС Эстафета

а 47,0

1 щ

1 fh

J т

1 Щ

J 1Ж

\ 560 \

R8

СЗ 5

Rtl IBOk Rt2 WOk [g

C6 1200

R9 62k

10000

22000

C8 33B0

RW 1M

C7 1200

2200

кпюзк

R13 75

CW 0.25

50.0

R16 4.7H

Рис. 3.20. Электрическая схема измерительного усилителя с низкоомным входом



ГаОлща 3.2

Значения основных электрических параметров интегральных схем Эстафета

Параметр

Минимальные

Средние

Максимальные

Частота предельная при Й£у= 1, мГц

Коэффициент усиления, дБ

Коэффициент нелинейных искажений, %: вых=0.1 В при 1 = 50

вь,х=В при*у=60

0,05

0,15

Напряжение шума, HB/rnV, при Rj. = 50 Ом на частотах:

100 Гц

10* Гц .

Напряжение шума, мкВ, в полосе Д/ = 10* Гц при Rj, = 600 Ом

0,45

Напряжение питания, В

Глава 4

ПРИБОРЫ ДЛЯ НАГРЕВА, СУШКИ И ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

1. НАЗНАЧЕНИЕ И КЛАССИФИКАЦИЯ

. Приборы для нагрева вещества инфракрасным излучением успешно применяют в производственных технологических процессах и в научных исследованиях. Этот способ нагрева отличается большой производительностью, высоким качеством и экономическим эффектом, в связи с чем он широко распространен для решения следующих технологических задач:

сушка, т. е. удаление влаги, находящейся в различных связях с высушиваемым материалом (осмотически связанная влага коллоидных веществ, капиллярная влага микропор, стыковая влага, влага полимолекулярной и мономолекулярной адсорбции);

нагрев поверхности материала или его покрытия для активизации в них окислительных или других химических реакций, полимеризации, мликон-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76