Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Интегральные микросхемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 [ 44 ] 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89

направлении переход затвор - исток, и на затвор попадает отрицательный заряд. В силу этого обстоятельства конденсатор Сд не позволяет затвору полностью отслеживать потенциал истока при возрастании последнего. Поэтому при положительном пике может иметь место возрастание г^, и даже запирание прибора.

8.6. СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ КЛЮЧОМ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ

Схема управления с зарядовой связью для ключа на полевом транзисторе показана на рис. 8.14. Схема работает аналогично схеме управления с диодной связью (рис. 8.13). Управляемый заряд будет сообщаться затвору полевого транзистора до тех пор, пока С не зарядится


Рис. 8.14. Схема с зарядовой связью для управления ключом на полевом транзисторе с р-п перехо-дом-

Рис. 8.15. Схема, в которой р-канальный МОП-транзистор используется для управления ключом на п-канальном полевом транзисторе с р-п переходом.

ДО напряжения U+. После этого транзистор закрывается.

Схема управления с зарядовой связью имеет существенные преимущества по сравнению со схемой управления с диодной связью. Это преимущество заключается в том, что выходная емкость управляющего каскада оказывается много меньше емкости 10-20 пФ, требующейся для организации диодной связи. Узел управления затвором с зарядовой связью выпускается в микросхемном исполнении несколькими ведущими фирмами.

Выше при рассмотрении схем управления полевыми транзисторами с р-п переходом было показано, что лучшим способом перевода транзистора в открытое состояние является закорачивание его затвора с истоком. Это может быть достигнуто в схеме на рис. 8.15. Когда потенциал в точке А становится отрицательным, р-каналь-ный МОП-транзистор открывается, а затвор полевого



транзистора с р-п переходим соединяетсй со своим истО ком через сопротивление в несколько сот ом. Напряжение t/gjj становится равным нулю, и полевой транзистор с р-п переходом Ъудет пребывать в открытом состоянии даже на высоких частотах.

8.7. ПРИМЕНЕНИЕ

Превосходная схема управления полевым транзистором с р-п переходом, использующая р-канальный МОП-транзистор, включенный в соответствии с рис. 8.15, показана на рис. 8.16. При отрицательном входном сигнале открыты р-канальный МОП-транзистор и полевой транзистор с р-п переходом. Положительный входной сигнал

Закрыт + IDB ~

-гов Открыт


Рис. 8.16, Схема управления, полученная путем включения в схему на рис. 8.15 п-канального МОП-транзистора.

U,o-WB

~*п i П -

3j Н /7 :

Я

Г

и^ь-гов

Рис. 8.17. Двухтактная схема смещения уровня и управления ключом на полевом транзисторе с р-п переходом.

откроет п-канальный МОП-транзистор и закроет р-канальный, а поскольку затвор полевого транзистора с р-п переходом при этом получает отрицательный потенциал, он также закроется. Дополнительное преимущество такой схемы управления ключом заключается в том, что она позволяет сильно уменьшить ток утечки полевого транзистора с р-п переходом до значений, меньших 100 нА при 25°С.

В схеме на рис. 8.17 для управления полевым транзистором с р-п переходом также используется р-канальный МОП-транзистор. Элементом, передающим напряжение запирания на затвор полевого транзистора с р-п переходом, является п-р-п транзистор. Вся схема управления может быть выполнена в одном кристалле.



Ма рис. 8.18 показана схема, содержащая два спаренных ключа с общим управлением, построенная путем включения трех дополнительных элементов в схему, приведенную на рис. 8.17.

Эта схема имеет ряд преимуществ перед схемой с зарядовой связью, а именно: /вкл^150 не, выкл=130 не, наличие строгой синхронизации между ключами (они н'и-


Рис. 8.18. Схема, содержащая два противофазно работающих ключа, на полевых транзисторах с двухтактной схемой управления и смещения уровня для совмещения с ТТЛ.

когда не бывают открыты одновременно), малая модуляция сопротивления канала {г^ вплоть до ±10 В и частоты 100 МГц, диапазон аналоговых сигналов ±10 В при напряжении источника питания ±15 В, развязка 50 дБ на частоте 10 МГц и при нагрузке 100 Ом, малая утечка (менее 0,1 нА при. 25°С)как в открытом, так и закрытом состояниях.

8.8. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Ключи на полевых транзисторах применяются в тех случаях, когда они обеспечивают очевидные преимущества по сравнению с ключами других типов. Все более широкое использование находят коммутирующие схемы типа КМОП; в некоторых случаях для получения наилучших результатов ИМС объединяют как полевые транзисторы с р-п переходом, так и КМОП-транзисторы. 138



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 [ 44 ] 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89