Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Микромагнитоэлектроника: направление технологии 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 [ 50 ] 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122

3.4. Перспективы и тенденции развития МЧМС и МУМ

На зарубежном рынке ежегодно появляется до двух десятков новых магнитоуправляемых и магниточувствительных схем. Результаты изучения рьппса свидетельствуют о значительном отставании России по уровню параметров, по номенклатуре и по объемам вьшуска МУМС.

Анализ тенденций развития зарубежного производства магнитоуправляемых и магниточувствительных микросхем показьшает, что в ближайшее десятилетие можно ожидать дальнейшего совершенствования схемотехники и конструкции МУМС и МЧМС с целью повьппения уровня магнитоэлектрических параметров и улучшения эксплуатационных характеристик, расширения их функциональных возможностей. Нри этом совершенствование МУМ, в первую очередь, будет направлено на снижение тока потребления (меньше 0,5 мА), повышение чувствительности (до индукций срабатывания/отпускания +1 мТл) и повьппения тока коммутации до 3 А и более.

Ожидается дальнейшее повышение степени интеграции МЧЭ с целью увеличения количества магниточувствительных элементов в одном кристалле (и в одном корпусе) до шестнадцати и более. Это приведет к созданию многоканальных магнитоэлектронных устройств и к дальнейшему расширению их областей применения.

Следует ожидать совершенствования технологии изготовления МУМС с переходом на КМОН и КНИ процессы, которые позволят снизить стоимость микросхем до 10-15 центов за штуку. Использование КНИ технологических процессов даст возможность увеличить максимальную рабочую температуру ИС до +200 °С и более при значительном снижении тока потребления и себестоимости изготовления. Кроме того, использование новых технологических процессов позволит уменьшить размер кристалла, а следовательно, корпуса микросхем станут более тонкими и миниатюрными, что приведет к дальнейшему расширению сфер применения МУМС и МЧМС, особенно в автомобильной и автотракторной технике, авиации, металлургии, в военной технике и других областях с жесткими условиями эксплуатации.

Следует ожидать увеличения объемов заказных МУМС и МЧМС на зарубежном рьшке, так как зарубежная практика показьшает, что разработка новых микросхем для нового магнитоэлектронного устройства часто бьшает дешевле и быстрее, чем подгонка этих устройств под стандартные схемы.

Прогнозируемая наработка на отказ современных зарубежных МУМС превьппает несколько миллионов часов (отечественных - не более 50000 ч), что стимулирует их использование в устройствах ввода информации ЭВМ и пультах управления ответственной аппаратуры.



Список литературы к главе 3

1. Абдулаев А. Г., Адигезалов Г. Д., Касимов Ф. Д. Высокочувствительная твердотельная магнитокоммутируемая ИС на основе эффекта Холла Электронные датчики. Серия 5. Радиодетали и радиокомноненты. - М., ЦНИИ Электроника, 1989. - С. 123.

2. Адигезалов М. Н., Касимов Ф. Д., Стоялов М. Н. Высокочувствительная темнературностабильная магнитокоммутируемая интегральная схема Приборы систем управления. - 1990, № 2. - С. 37.

3. Бараночников М. Л., Папу В. В. Микросхемы серии К1116 Радио, 1990, № 6, - с. 84; № 7, - с. 71-72; № 8,-с. 89.

4. Виг Р., Девей Р. Датчики Холла приобрели широкую популярность: Пер. с англ. статьи из журнала Sen-sors , Janiary, 1990, V 7, N 1. - Pp. 32-36.

5. Викулин И. М., Викулина Л. Ф., Стафеев В. И. Гальваномагнитные приборы. - М.: Радио и связь,1983. -104 с.

6. Гальперин С. Б. Полупроводниковая магнитоуправляемая интегральная схема МОП ИМС К1. Информационный листок малого научно-технического предприятия Инсен , Ленинград, 1989. - 2 с.

7. Дзюбин С. А., Костин В. В., Кривчиков А. М. Аналоговая магниточувствительная интегральная микросхема Электронные датчики. Серия 5. Радиодетали и радиокомпоненты. - М.: ЦНИИ Электроника, 1989. - С. 125.

8. Интегральный датчик Холла UR1101ХР29. Проспект КО Кристалл . 2000. - 2 с.

9. Интегральный датчик Холла UR1101ХР39. Проспект КО Кристалл . 2000. - 2 с.

10. Интегральный датчик Холла UR1101XP49. Проспект КО Кристалл . 2000. - 2 с.

11. Кобус А., Тушинский Я. Датчики Холла и магниторезисторы: Пер. с польск. Под.ред. О. К. Хомерики. -М.: Энергия, 1971.-351 с.

12. Кордич С. Интегральные кремниевые датчики магнитного поля: Пер. с англ. Статья из журнала Sensors & Actiators . - 1986, № 10, - Pp. 347-378.

13. КФ5116КП1, КФ5116КПЗ пороговая магнитоуправляемая ИС с инверсно-соп-ряженными выходами. Проспект ОАО Ангстрем . 2000. - 2 р.

14. Магниточувствительный элемент с линейным выходом иР1101ХП30. Проспект КО Кристалл , Киев. 2000.-2 с.

15. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. - М.: Мир, 1989. - 630 с.

16. Микросхемы Холла серии К1116КП. ГИПЕРОН . - М.: 1991. - 8 с.

17. Микросхемы Холла. Магнитные датчики. Проспект ПО Гиперон . - М.,1989. - 4 с.

18. Молин Дж., Геске М. Л. Эффект Холла в кремниевых схемах: Пер.с англ., 1980. - 30 с. /The Hall Effect and its application. 1980. - Pp. 4215.

19. Осита M. Магнитные датчики: Пер. с японск. Денси гидзюцу. 1983. Т. 25, № 5. - С.115-120.

20. Прецизионный микромощный инструментальный усилитель INA-118P. Проспект фирмы Burr-Brown . 1998.-7 с.

21. Румени Ч. С, Костев П. Т. Трехполюсный датчик. 1985. -6 с. Пер.ст. из журнала LAcademic Bulgare des Sciences Comptes Rendus , 1985, vol. 38, # 9 - Pp. 1144-1148.

22. Шумейкер Ч. Любительские схемы контроля и сигнализации. - М.: Мир, 1989. - 183 с.

23. Baranochnicov М., Krasnikov G., Mordcovich V. Et al. Magnetically Controlled Logic Cell Uniated States Patent # 5,542,080. Date of Patent: Apr21.1998.

24. Chopper-Stabilized, precision Hall-effect switch A3240.1999. -12 p. (Проспект фирмы Allegro MicroSystems Inc. ).

25. Chopper-Stabilized, precision Hall-effect switch A3240.1999. -12 p. (Проспект фирмы Allegro MicroSystems Inc. ).

26. Commplementary output power Hall-effect latch. UGN5275K. 1999.- 6 p. (Проспект фирмы Anegro MicroSystems. Inc. ).

27. Complementary output Hall-effect latch UGN3275K. 1999. - 4 p. (Проспект фирмы Anegro MicroSystems. Inc. ).

28. Dual-output Hall-effect switch UGN3235K. 1999. - 8 p. (Проспект фирмы Anegro MicroSystems Inc. ).

29. HAL 800 Programmable Linear Hall Effect Sensor. 1999. - 16 p. (Проспект фирмы Micronas Intermetall ).

30. HAL320 Differential Hall Effect Sensor 1С in CMOS technology. 1999. - 12 p. (Проспект фирмы Micronas Intermetall ).

31. Hall Effect Transducers. How to apply them as sensors. MICRO SWITCH a Honeywell Division. 1988. - 280 - p.

32. Hall-effect gear-tooth Sensors-AC coupled. UGN/UGS3059KA and UGN/UGS3060KA. 1999. - 8 p. (Проспект фирмы Anegro MicroSystems Inc. ).

33. Hall-effect gear-tooth Sensors-zero speed. A3046EU/LU, A3056EU/LU and A3058EU/LU. 1999. - 8 p. (Проспект фирмы Anegro MicroSystems Inc. ).

34. Hall-effect,direction-detection Sensors. A3421xKA and A3422xKA. 1999. - 12 p. (Проспект фирмы АПе£го MicroSystems. Inc. ).



35. Instramentation Amplifier Application Guide. 2° Edition. Analog Devices. 1992. - 50 p. (Материал фирмы Analog Devices ).

36. Linear Output Magnetic Field SensoreAD22151. 1999. - 8 p. (Проспект фирмы Analog Devises ).

37. MICRO SWITCH. Sensing and Control. Solid State Sensors. Catalogue E20. Honeywell. 1997.

38. Microelectronic Integrated System. Applications and Databook. Melexis . 1999. -116 p.

39. Multiplexed tho-wire Hall-effect Sensor Ics. A3054KU and A3054SU. 1999. - 10 p. (Проспект фирмы АПе-gro Microsystems Inc. ).

40. Power Hall Sensor/Drivers for brushless DC Motors. UDN3625M and UDN3626M. 1999. - 8 p. (Проспект фирмы Allegro MicroSystems. Inc. ).

41. Pression Single Supply Instrumentation Amplifier. Analog Devices. 1997. - 16 p. (Материал фирмы Analog Devices ).

42. Solid State Sensors. Position, current, flow, liquel level and temperature sensors. Catalogue E20. Honeywell. 1989. - C. 48.

43. TLE4905G, TLE4935G, TLE4935-2G, TLE4945-2G. Uni- and Bipolar Hall Effect Switches for Magnetic Field Applications. 1998. - 12 p. (Проспект фирмы Siemens ).

44. TLE4905L, TLE4935L, TLE4935-2L, TLE4945L, TLE4945-2L.Uni- and Bipolar Hall Effect Switches for Magnetic Field Applications. 1998. - 14 p. (Проспект фирмы Siemens ).

45. Ultra-sensitive bipolar Hall-effect switches. UGN3132, UGN3133.1999. - 8 p. (Проспект фирмы Allegro MicroSystems Inc. ).

46. Vig R., Dewey R. Hal Effect Sensor Gain Acceptance Sensor, January, 1990. - 32 p.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 [ 50 ] 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122