Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Микромагнитоэлектроника: направление технологии 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 [ 43 ] 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122

№ п/п

Тип микросхемы

Напря-жепие питания

В

Ток потребления In, мА

Ток коммутации

-[ком,макс

Индукция срабатывания

мТл

Индукция отпускания

мТл

Характеристика переключения

Время включения

КШбКШ

4,5...5,5

25x2

Униполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

К11161СП2

4,5...5,5

25x2

Униполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

K1116KID

6...16

Униполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

K1116KID

6...12

Униполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

К11161СП4

6...12

Биполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

1000

1116КП6

4,5...29

30x2

Униполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

К11161СП7

20...35

Биполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

К11161СП8

4,5...5,5

Биполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

Kiiieicro

4,5...5,5

Униполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

4,5...5,5

Униполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

5...12

Биполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

mi6Kni2-:

5...12

Биполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

4,5... 12

Биполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

4,5...5,6

Биполярная (ДВ=5...9мТл) (ОтК)

По уровню основных параметров микросхемы серии К1116КП не уступают своим зарубежным аналогам. Магнитоуправляемые микросхемы серии К1116КП имеют выходной каскад с открытым коллектором . Они рассчитаны на сопряжение с цифровыми интегральными микросхемами типа РТЛ, ДТЛ, ТТЛ, И% и с КМОП логикой. Пример сопряжения микросхем указанной серии со стандартной логикой приведен на рис. 3.39.

Минимальное сопротивление R1 определяется по формуле:

D1 КОМ

(3.8)

вых. макс

где - напряжение коммутации. В;

1° максимальный выходной ток низкого уровня, А.

Таблица 3.10. Основные параметры магнитоуправляемых ИС серии К1116КП



к выв. 14 DD2


Рис. 3.39. Пример схемы сопряжения МУМ серии КШбКПс ТТЛ логикой

Общий

DDI- магнитоуправляемая ИС К1116КП4 DD2- микросхема К155ТМ2

Другие образцы отечественных магнитоуправляемых микросхем

Из схем, разработанных другими производителями в СССР, интерес представляет униполярная МУМ типа ПМП, разработанная в ППО КИ (г. Баку). Функциональная схема МУМ ПМП приведена на рис. 3.40. В микросхеме предусмотрена регулировка индукции срабатывания/отпускания и гистерезиса путем использования внешних резисторов. Основные параметры МУМ приведены в табл. 3.11 [1,2].

Стабилизатор напряжения


Дифференциальный усилитель

Триггер ,

Каскад положительной ОС

6 б

Регулировка

-о Выход

-о Общий

Регулировка гистерезиса.

Рис. 3.40. Функциональная схема МУМ типа ПМП Таблица 3.11. Основные параметры МУМ типа ПМП

№ п/п

Наимеповапие параметра, единица измерения

Диапазон значений

Напряжение питания, В

9...27

Ток потребления, мА

Ток коммутации, мА, не более

Индукция срабатывания, мТл

5... 50 (регулируется)

Индукция отпускания, мТл

5 (регулируется)

Время включения, мкс

Время вьпслючения, мкс

Диапазон рабочих температур, С

-60...+125

Габаритные размеры, мм

7 X 13x2



Представляет интерес кремниевая МУМ тина ИМС К1, разработанная малым нреднриятием ИПСЕП (г. Ленинград), функциональная схема которой приведена на рис. 3.41. Схема изготовлена с применением КМОП технологии. В качестве преобразователя магнитного поля использован биполярный магнитотранзистор с планарной магнитной осью. В схеме предусмотрено цифровое управление индукцией срабатывания. Основные параметры микросхемы приведены в табл. 3.12 [6, 7].


Входы^правления индукцией срабатывания

ИК1,ИК2 - измерительные коллекторы Рис. 3.41. Функциональная схема МУМ типа ИМС К1 Таблица 3.12. Основные параметры МУМ типа ИМС К1

№ п/п

Наимеповапие параметра, единица измерения

Диапазон значений

Папряжение питания, В

от 6 до 12

Ток потребления, мА

Ток коммутации, мА, не более

Папряжение коммутации, В

1,5...12

Индукция срабатывания, мТл

от-15 до+15 (Программируется с шагом 1 мТл)

Гистерезис, мТл

0,4...1,0

Время включения, мкс

<1

Время вьпслючения, мкс

<1

Диапазон рабочих температур, С

-60...+100



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 [ 43 ] 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122