ecosnos.ru |
Главная Микромагнитоэлектроника: направление технологии 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 [ 43 ] 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122
По уровню основных параметров микросхемы серии К1116КП не уступают своим зарубежным аналогам. Магнитоуправляемые микросхемы серии К1116КП имеют выходной каскад с открытым коллектором . Они рассчитаны на сопряжение с цифровыми интегральными микросхемами типа РТЛ, ДТЛ, ТТЛ, И% и с КМОП логикой. Пример сопряжения микросхем указанной серии со стандартной логикой приведен на рис. 3.39. Минимальное сопротивление R1 определяется по формуле: D1 КОМ (3.8) вых. макс где - напряжение коммутации. В; 1° максимальный выходной ток низкого уровня, А. Таблица 3.10. Основные параметры магнитоуправляемых ИС серии К1116КП к выв. 14 DD2 Рис. 3.39. Пример схемы сопряжения МУМ серии КШбКПс ТТЛ логикой Общий DDI- магнитоуправляемая ИС К1116КП4 DD2- микросхема К155ТМ2 Другие образцы отечественных магнитоуправляемых микросхем Из схем, разработанных другими производителями в СССР, интерес представляет униполярная МУМ типа ПМП, разработанная в ППО КИ (г. Баку). Функциональная схема МУМ ПМП приведена на рис. 3.40. В микросхеме предусмотрена регулировка индукции срабатывания/отпускания и гистерезиса путем использования внешних резисторов. Основные параметры МУМ приведены в табл. 3.11 [1,2]. Стабилизатор напряжения Дифференциальный усилитель Триггер , Каскад положительной ОС 6 б Регулировка -о Выход -о Общий Регулировка гистерезиса. Рис. 3.40. Функциональная схема МУМ типа ПМП Таблица 3.11. Основные параметры МУМ типа ПМП
Представляет интерес кремниевая МУМ тина ИМС К1, разработанная малым нреднриятием ИПСЕП (г. Ленинград), функциональная схема которой приведена на рис. 3.41. Схема изготовлена с применением КМОП технологии. В качестве преобразователя магнитного поля использован биполярный магнитотранзистор с планарной магнитной осью. В схеме предусмотрено цифровое управление индукцией срабатывания. Основные параметры микросхемы приведены в табл. 3.12 [6, 7]. Входы^правления индукцией срабатывания ИК1,ИК2 - измерительные коллекторы Рис. 3.41. Функциональная схема МУМ типа ИМС К1 Таблица 3.12. Основные параметры МУМ типа ИМС К1
|