Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Микромагнитоэлектроника: направление технологии 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 [ 42 ] 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122


R8 Б19


VTll

-o Выход

VTIO

-o Общий

Рис. 3.34. Электрическая схема магнитоуправляемой ИС, изготовленной по эпипланарной технологии. В качестве преобразователей магнитного поля используются два интегральных элемента Холла, включенных встречно-параллельно. Диоды VD1-VD6 применяются в качестве опорного источника стабилизатора

напряжения VT1



3.2.2. Промышленные образцы отечественных МУМ

Разработкой магнитоуправляемых и магниточувствительных схем в Советском Союзе и СНГ занимались до 1992 года несколько организаций, в числе которых ОКБ ПО Гиперон (г. Москва), СКТБОП ИФТТП АН БССР (г. Минск), НИИ ГИРИКОНД, НПК Электроприбор , ЛНПО Электронмаш (г. Ленинград), НПО космических исследований (г. Баку), производственное объединение Позистор (г. Ереван), СКБ завода Азон (г. Баку), СКТБ МЭПО Вега (г. Бердск), НПК УМЦ (г. Самара), ЛНИРТИ (г. Львов), НПК Технологический центр (г. Зеленоград), МП Инсен (г. Ленинград), НПО Физика (г. Москва), СКБ ПО Элькор (г. Нальчик) и некоторые др.

Специалистами этих организаций были разработаны и изготовлены на уровне экспериментальных и опытных образцов цифровые и аналоговые магнитоуправляемые и магниточувствительные микросхемы в различных вариантах конструктивного и технологического исполнения.

Основным производителем кремниевых магнитоуправляемых ИС в СССР являлся Первый московский завод радиодеталей (ПО Гиперон ), который вьшускал серию К1116КП маломощных МУМ, состоящую из 14 типов изделий с очень близким уровнем параметров. Годовой объем вьшуска девяти типов ИС указанной серии составлял примерно 2,0 млн. шт. при потенциальных возможностях завода более 5 млн. шт.

В 1999 году АО Ангстрем [13] начат вьшуск магнитоуправляемых ИС типаКФ5116КП1 иКФЗИбКПЗ. Схемы предназначены для использования в качестве датчиков угла поворота ротора бесколлекторных электродвигателей постоянного тока. Имеются сообщения о начале вьшуска КО Кристалл на Украине магнитоуправляемых ИС типа иА01ХП29, иА01ХП39, иА01ХП49 [14]. Основные параметры микросхем приводятся в главе 13 тома 2.

Магнитоуправляемые микросхемы серии К1116КП

Основные характеристики магнитоуправляемых ИС серии К1116КП даны в главе 13 [3, 16, 17]. Ниже будут рассмотрены некоторые особенности микросхем серии К1116КП.

Нарис. 3.35 показана функциональная схема МУМ типа К1116КП1, К1116КП2 и 1116КП6.

Рис. 3.35. Функциональная схема МУМ типа К1116КП1, К1116КП2 и 1116КП6

К1116КП1

Стабилизатор напряжения


-> Дифферен-J циальный J-+ усилитель

Триггер - i

стробимиульса -ф Выход 1

-\ Выход 2

н& Общий

Магнитоуправляемые ИС типа К1116КП1, К1116КП2 и 1116КП6 предназначены для использования в составе бесконтактных клавишных модулей. Они имеют по два синфазных выхода с открытым коллектором и стробируюпщй вход (вьшод 3). При подаче на этот вход стробирующего импульса с уровнем логического О уровень выходного напряжения не будет зависеть от воздействия внешнего магнитного поля, так как будет реализована функция запрет .

Если вход стробирования не используют, его необходимо подключить к плюсовому проводу цепи питания. Использование стробирующего входа позволяет значительно снизить энергопотребление ИС, что особенно актуально при функционировании многоклавишной клавиатуры.

Микросхемы К1116КП1, К1116КП2 и 1116КП6 являются униполярными приборами.

Микросхемы К1116КП1 и 1116КП6 имеют прямой выход, сигнал на котором в отсутствие магнитного поля соответствует уровню логической 1 (рис. З.Зб.а). При увеличении индукции внешнего магнитного поля до значения В> В происходит переключение микросхемы и уровень сигнала на выходе скачком изменяется до логического О (рис. 3.36.6).

вых

К1116КП1

-►J

О

-вых

в>в

К111бкт|

В<1

1-►J

Рис. 3.36. Характеристики переключения МУМ типа а, б - К1П6КП1;в, г - К1116КП2




К1116КП1,К1116КП2,1116КП6

К1116КПЗ,К1116КП4, К1116КП7,К1116КП8

Рис. 3.37. Внешний вид и габариты МУМ типа К1116Ш1, К1116Ш2, 1116Ш6, К1116ШЗ, К1116Ш4,

К1116КП7, К1116КП8

1,25

И-►

1,25 4-►

К1116КП13,К1116КП14, К1116КП9, К116КП10

MS 4-►


К1116КП11

К1116КП12-2

Рис. 3.38. Внешний вид и габариты МУМ типа К1116КП9, К1116КП10, К1116КП11, КП16КП13,

К1116КП14, К1116КП12-2

Микросхема К1116КП12-2 вьшускается в бескорпусном исполнении. Все микросхемы серии К1116КП изготовлены с использованием типовой эпипланарной технологии. Наработка микросхем серии К1116КП составляет 50 тыс. ч.

Микросхемы могут нормально функционировать при воздействии синусоидальной вибрации с частотой 0-5000 Гц с ускорением до 40 g, одиночных ударов с ускорением до 1500 g и линейного ускорения до 2000 g.

Диапазон рабочих температур от -60 до +125 °С - в зависимости от типа МУМ. Допустимая влажность окружающего воздуха - не более 98% при температуре до 35 °С.

Микросхемы пригодны для монтажа в аппаратуре как методом групповой пайки, так и паяльником. Температура пайки - не более 265 °С, время пайки - не более 4 с. При использовании микросхем в условиях высокой влажности воздуха и для повьппения надежности работы рекомендуется трехслойное покрытие корпуса МУМ лаком УР-231.

Основные параметры микросхем серии К1116КП приведены в табл. 3.10.

Микросхема К1116КП2 имеет инверсный выход, на котором уровень логической 1 появляется при воздействии магнитного поля с индукцией В < В^ (см. рис. 3.36в,г). При использовании микросхем типа Kill 6КП1, К1116КП2 и 1116КП6 допускается объединение их выходов при условии, что общий ток нагрузки не будет превьппатъ 50 мА.

Микросхемы типа К1116КПЗ, К1116КП5,1116КП6, К1116КП9, К1116КП10 являются униполярными. Они имеют по одному выходу и не имеют входа для подачи стробирующего импульса.

Микросхемы К1116КП4, К1116КП7, К1116КП8, К1116КП11, К1116КП12-2, К1116КП13 и К1116КП14 являются биполярными приборами и изменяют свое состояние при изменении полярности и величины индукции управляющего магнитного поля. Эти микросхемы тоже имеют по одному выходу и не имеют входа для подачи стробирующего импульса.

Микросхема К1116КП4 имеет встроенный резистор нагрузки сопротивлением порядка 30 кОм, включенный между выходом и плюсовым проводом источника питания.

Микросхемы серии К1116КП реализованы в четьфех вариантах конструктивного исполнения - трех- и пятивыводные стандартные пластмассовые корпуса с шагом расположения вьшодов 2,5 и 1,25 мм (рис. 3.37 и 3.38). 13 2,0



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 [ 42 ] 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122