Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Микромагнитоэлектроника: направление технологии 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 [ 30 ] 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122

Полевой элемент Холла

Thu преобразователя магнитного поля

О J Л 1

Магнитная чувствительность, В/ Тл

5- .I i

г i 1 i * s s

° у §

Динамический диапазон, мТл

По току, %/Тл

i f

i i 1 g i

По напряжению,

- в 1=1

Напряжение, В

III 11 1

Ток, мА

. ё| 1 = о 1 §1 1 1

. О = = . 1 § 1 g S

о о

Ю о о -

Коэффициент нелинейности,%

i f 1

о St St St St

в

2 s; a



Монолитный магниторезистор

Тии преобразователя магнитного поля

s is

i о о о 11g 1 lis

o\ о о

Магнитная чувствительность, В/ Тл

5 i i 1 § Л Л

й CD Q

5? .-1 i

г Ч 5 я g * S S

Динамический диапазон, мТл

По току, %/Тл

° 1 s 1

ё § s

По напряжению,

S я s

Напряжение, В

i 1 1

Ток, мА

°о11 1 i 1

и ?Е|

Ul о

о

Коэффициент нелинейности,%

gilt

1 iggPi

s -s

ж

ж s S



Тонкопленочный магниторезистор

Тии преобразователя магнитного поля

1 о о

о 11g1 lis

о Й о о w

Магнитная чувствительность, В/ Тл

1 S I

5? .-1 i

г Ч 5 я g * S S

Динамический диапазон, мТл

По току, %/Тл

° 1 s I

По напряжению,

S я s

Напряжение, В

i 1 1

о о

Ток, мА

°о11 1 i 1

и ?Е|

о о

Коэффициент нелинейности,%

gilt

jig if8

11 ° i 11 11 Р= 1 i

oo 1

Ж

Ж



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 [ 30 ] 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122