Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Микромагнитоэлектроника: направление технологии 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 [ 118 ] 119 120 121 122

8. Удельную магнитную чувствительность магниторезистора (Ууд„) определяют по формуле:

- , мВ/ (мТл*мА) или (В/(Тл*А) (8.7)

/уд.MR ~ J

Примечание: Измерение таких параметров магниторезисторов как магниторезисторное отношения Rjj/Ro (в %) и относительная магнитная чувствительность у^ (в о.е.) в практических целях, как правило, используются очень редко.

Миллиамперметр 0...100мА

Цифровой милливольтметр

0...2000 мВ


®

®

Цифровой вольтметр

Прецезионный источник нитания 0...15В

Источник питания 0...50ВД5А (для питания электрсмагпита

©

Рис. 8.6.Структурная схема устройства для измерения основных параметров единичных магниторезистора и магнитодиодов (а)

8.3. Измерение параметров магнитодиодов

Для измерения параметров магнитодиодов так же может использоваться устройство, структурная схема которого приведена на рис.8.6.

Порядок измерения параметров магнитодиода.

1. Магнитодиод последовательно с сопротивлением нагрузки подключается к клеммам 1-2-3 схемы, приведенной на рис. 8.6 и 8.6.а.

2.Устанавливается сопротивление нагрузки = Rj. Величина Rjj выбирается исходя из требований необходимой линейности преобразования или максимальной чувствительности МД.

3. От источника 4 через миллиамперметр 1 на цепочку R - R подается напряжение питания. Рабочий режим магнитодиода устанавливается по величине тока управления (1у^) и контролируется миллиамперметром 1.

4. При помопщ милливольтметра 2 измеряется напряжение (U(, ) на выходе магнитодиода при В=0. Входное сопротивление милливольметра (R j) должно быть много больше, чем величина параллельно

включенных R и R . (R,, lOR ).

5. Нажимают кнопку Кн1 и при помощи источника питания 5 устанавливают необходимую величину индукции управляющего магнитного поля В. Величину В контролируют при помощи внешнего измерителя магнитной индукции. При достижении заданной величины В, при помощи миллиамперметра 6 фиксируют величину тока, проходящего через электромагнит 7. Затем кнопку Кн1 отпускают.

6. Магнитодиод помещают в рабочий зазор электромагнита 7 и нажимают кнопку Кн1. При нажатой кнопке Кн1 милливольтметром 2 измеряют напряжение сигнала (U на выходе цепочки Rд - R.



7. Магнитную чувствительность магнитодиода (У^ц) определяют по следующей формуле:

-, мВ/мТл или (В/Тл)

(8.8)

8.Удельную магнитную чувствительность магниторезистора (у^д) определяют по формуле: - , мВ/ (мТл*мА) или (В/(Тл*А)

(8.9)

Примечание: Некоторые типы магнитодиодов обладают асимметричной чувствительностью, зависящей от полярности приложенного напряжения, поэтому необходимо изменить полярность подключения магнитодиода к клеммам 2-3 на обратную, и повторить п.п.2....8.

8.4. Измерение параметров магииточувствительпых ИС

Для измерения параметров магниточувствительных микросхем можно использовать стенд, структурная схема которого приведена на рис. 8.7.


©

->

->

Миллиамперметр О..ЛОмА

Цифровой милливольтметр 0...10000мВ

®

©

Цифровой вольтметр

Прецезионный

ИСТОЧНИК

нитания 0...15В

©

Миллиамперметр 0...100мА

Уточник питания 0...50В, 0,5 А (для питания электромагнита)

©

Рис. 8.7. Структурная схема стенда для измерения параметров магниточувствительных микросхем.

В качестве источника управляющего магнитного поля может использоваться электромагнит, конструкщтя которого приведена на рис. 8.1. Величина магнитной индукщ1и в рабочем зазоре или в рабочей плоскости МЧМС измеряется внепшим щ1фровьпи магнитометром (например, ЭМЦ2-21), а затем контролируется при помощи измерительного элемента Холла (рис. 8.2) или по току через электромагнит. Тумблер S1 служит для переключения направления магнитного потока ЭМ.

Порядок измерения параметров магниточувствительной ИС.

1. Магниторезистор последовательно с сопротивлением нагрузки подключается к схеме, приведенной на рис. 8.7.

2.Величина выбирается исходя из требований технической документащ1и на микросхему.

3. От источника 4 через миллиамперметр 1 на микросхему подается напряжение питания. Рабочий режим микросхемы устанавливается по величине номинального напряжения (Ujjjjqj). Величина тока потребления (Ijj) и контролируется миллиамперметром 1.



4. При помощи милливольтметра 2 измеряется папряжение (U;,) на выходе микросхемы при В=0. Входное сопротивление милливольтметра (Rg j) должно быть много больше, чем величина R. (Rg, >10R).

5. Нажимают кнопку Кн1 и при помощи источника питания 5 устанавливают необходимую величину индукции управляющего магнитного поля В. Величину В контролируют при помощи внешнего измерителя магнитной индукции. При достижении заданной величины В, при помощи миллиамперметра 6 фиксируют величину тока, проходящего через электромагнит 7. Затем кнопку Кн1 отпускают.

6. Микросхему помещают в рабочий зазор электромагнита 7 и нажимают кнопку Кн1. При нажатой кнопке Кн1 милливольтметром 2 измеряют напряжение сигнала (U) на выходе микросхемы.

7. Магнитную чувствительность МЧМС (S) определяют по формуле:

О / , мВ/мТл или (В/Тл)

(8.10)

В

8.5. Измерение параметров магнитоуправляемых ИС

На рис. 8.8 приведена структурная схема стенда для измерения параметров магнитоуправляемых микросхем серии К1116.

Электромагнит


Измеряемая МУМ

->

SW ,

Вых. ->

Источник питания микросхемы,

Источник питания narpj

Измеритель магнитной индукции

R1-1 Ом, 0,5% R2-1 К, 0,5% Cl-lMx 16В С2-20М X 50В СЗ-20М X 50В С4-0,1М X 160В

К„-сопротивление нагрузки МУМ (Определяется тех.док.>240 Ом)


Цифровой вольтметр

Ш

Рекомендуемые приборы: 1,2,5 - источник питания типа Б5-49;

3 - унивесальный вольтметр типа В7-34;

4 - осциллограф универсальный типа С1-114; 6 - генератор низкочастотный ГЗ-109;

7- измеритель магнитной индукции типа ЭМЦ 2-21;

8 - электромагнит измерительный;

9 - миллиамперметр 0...100 мА.

Рис. 8.8. Структурная схема стенда для измерения параметров магнитоуправляемых микросхем серии

К1116



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 [ 118 ] 119 120 121 122