переходные токи; Uj, -повторяющееся им-пулы;ное обратное напряжение: наибольщее мгновенное значение обратного напряжения, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения (уменьщается с увеличением температуры окружающей среды); U ,-максимально допустимое постоянное обратное напряжение; U p.,-импульсное прямое напряжение; наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током заданного

значения; U,-постоянное прямое напряжение: постоянное значение прямого напряжения, обусловленное постоянным прямым током; U ,p-среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе; 1,-импульсный обратный ток: наибольшее мгновенное значение обратного тока, обусловленного импульсным обратным напряжением; 1-постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением; Ipjp-средний обратный ток: среднее за

Таблица 12.75. Диоды универсальные и импульсные

период значение обратного тока; t, jp-время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения. Увеличивается с повышением прямого тока и температуры р-п-перехода (окружающей среды); f , -максимально допустимая частота: наибольшая частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода.

Универсальные и импульсные диоды

Универсальный и импульсный д од-полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов включения и выключения и предназначенный для применения в импульсных режимах работы. Основные параметры диодов при нормальной температуре окружающей среды приведены в табл. 12.75, где С„-общая емкость диода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается.

Туннельные и обращенные диоды

Туннельный дкод-полупроводниковый диод на основе вьфожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на ВАХ при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости. Наличие такого участка позволяет использовать туннельные диоды в усилителях, генераторах синусоидальных релаксационных колебаний и переключающих устройствах на частотах до сотен и тысяч мегагерц.

Обращенный д од-полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении.

Основные параметры туннельных и обращенных диодов приведены в табл. 12.76, где Хд-пн-ковый ток: значение прямого тока в точке максимума ВАХ туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю; 1,-ток впадины: значение прямого тока в точке минимума ВАХ туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю; IJI,-отношение пикового тока к току впадины; U -напряжение пика: значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току; и,-напряже-вие впадины: значение прямого напряжения, соответствующее току впадины; Upp-напряжение раствора: значение прямого напряжения на второй восходящей ветви ВАХ, при котором ток равен пиковому; г„ сопротивление потерь; индуктивность диода.

Стабилитроны и стабисторы

Стабилитрон-полупроводниковый диод напряжение на котором в области электрического пробоя при обратном смещении слабо зависит от тока в заданном его диапазоне, предназначен для стабилизации напряжения.

Стабистор-полупроводниковый диод, напряжение на котором в области прямого смещения слабо зависит от тока в заданном его диапазоне, предназначен для стабилизации напряжения.

Основные параметры различных видов стабилитронов и стабисторов при нормальной температуре окружающей среды приведены в табл. 12.77, где U, - напряжение стабилизации: значение напряжения при протекании тока стабилизации; 5и -временная нестабильность напряжения стабилизации: отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени; 1, ток стабилизации: значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации; Р„ -максимально допустимая мощность стабилизации; rj-дифференциальное сопротивление стабилитрона: отношение приращения напряжения стабилизации к вызывающему его приращению тока стабилизации; -температурный коэффициент напряжения стабилизации: отношение относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации.

Варикапы

Дорикая-полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения, предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью. Основные параметры варикапов при нормальной температуре окружающей среды приведены в табл. 12.78, где С,-емкость варикапа; К^-коэффициент перекрытия по емкости: отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения; Q-добротность варикапа: отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданной емкости или обратном напряжении; Р,-рассеиваемая мощность варикапа.

Сверхвысокочастотные диоды

Сверхвысокочастотный диод-полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала.

Смесительный диод-СВЧ диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты. Основные параметры смесительных диодов при нормальной температуре окружающей среды приведены в табл. 12.79, где Р импульс-

ная рассеиваемая мощность СВЧ диода: сумма

Таблица 12.76. Туннельные н обращенные диоды

1 , мА

[ ]- -повое значение

Ьд, иГи Масса, Корпус г (рис. 12.18)

Усилительные

ГИ401А ГИ401Б ГИ403А АИ402Б АИ402Г АИ402Е АИ402И

Генераторные

Переключательные

0,1 0,1 0,1 0,2 0,4

Обращенные переключательные (90) -----

(90) (135) (250) (250) (250) (250)

Д2 Д2 Д2 Д2 Д2 Д2 Д2 Д2

рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы; Х,-длина волны; Lp-потери преобразования: от-нощение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме; Ij - выпрямленный ток СВЧ диода: постоянная составляющая тока СВЧ диода в рабочем режиме; К„и-коэффициент стоячей волны по напряжению: коэффициент стоячей волны по напряжению в линии передачи СВЧ, нагруженной на определенную диодную камеру с СВЧ диодом в рабочем режиме; N-выходное шумовое отношение: отношение мощности шума

СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот; г, -выходное сопротивление: активная составляющая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме; Р^,-падающая на диод СВЧ мощность; Р„ р„-нормированный коэффициент шума: значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты, равном 1,5 дБ.

Детекторный диод~СйЧ диод, предназна-