Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Классификация и характеристики магнитофонов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 [ 50 ] 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

Резистор R2 должен иметь сопротивление

где 1рд-ток предельного отклонения миллиамперметра; Ьлэдр-рассчитываемый предел измерения статического коэффициента передачи тока.

Приборами трудно определить у- и z-napa-метры транзисторов. Однако для расчета электронных схем часто удобнее применять именно эти, особенно у-параметры. Наиболее просто аппаратурно измерить h-параметры транзисторов (о чем речь шла ранее), а затем, при необходимости, у- и z-параметры могут быть вычислены через h-параметры.

Формулы перехода между системами параметров даны в табл. 10.16, где Д,-определитель соответствующей системы параметров.

Таблица 10.16. Формулы перехода между параметрами транзисторов

22 h22

h21 1

z21 Z22

22 h22

Z22 Zj2

1 h,2

а. 4

h2i а^

М

Ki hi2

Z22 Z22

Ъ.21 hjj

Z22 Z22

Испытатель диодов н биполярных транзисторов (рис. 10.37). Он позволяет измерять Ieo. Ьбс Ik3r и h2i3 биполярных транзисторов структуры р-п-р и п-р-п, проверять их на генерацию на

низкой частоте, а также измерять Ip и диодов (при напряжении 4 В). Прибор также может служить источником напряжения звуковой частоты.

При указанных в системе номиналах элементов можно измерять неуправляемые токи транзисторов 1кБо. Ьбо. 1кэк и обратные токи диодов до 200 мкА, прямые токи диодов до 20 мА и коэффициент h2i3 до 200. Микроамперметр РА прибора имеет Хрд = 200 мкА, Грд = 650 Ом. При другом значении Грд или при необходимости расширить пределы измерения hjja транзисторов или 1 р диодов нужно изменить сопротивление шунтирующего резистора R3.

Магнитопровод трансформатора Т1 Ш9 х 10; обмотка I содержит 100 -1-20 витков провода ПЭЛ 0,25; обмотка 11-1600 витков провода ПЭЛ 0,08.

Режим проверки устанавливается с помощью переключателя SA3. Положение = соответствует режиму постоянного тока (измерение 1кБО, 1эБо. Ik3r транзисторов и 1ар1 бр диодов), а положение ~ при замкнутом выключателе SA4-низкочастотному генераторному режиму.

Испытываемый диод подключает к зажимам Э и К в соответствующей полярности. Для измерения прямого тока диода выключатель SA2 должен быть замкнут, а при измерении обратного тока разомкнут.

Для измерения токов 1кбо. Ьбо, 1кэк транзистор подключают к прибору в соответствии со схемами, изображенными на рис. 10.34. При испытании транзисторов структуры р-п<-р переключатель SA (см. рис. 10.37) должен находиться в нижнем (по схеме) положении, а при испытании транзисторов структуры п-р-п-в верхнем.

Статический коэффициент передачи тока Ьгхэ измеряют при подключении транзистора по схеме на рис. 10.36 при замкнутом переключателе SA2 (см. рис. 10.37). При этом резистор R3 шунтирует микроамперметр, что расширяет его предел измерения до 20 мА. Так как сопротивление резистора R2 = 39 кОм, то для всех испытываемых транзисторов Ц 0,1 мА и верхняя пре-




дельная отметка шкалы измерителя соответствует значению Ьггэ = 200.

Для испытания транзистора на генерацию на низкой частоте переключатель SA3 необходимо поставить в положение ~ и замкнуть выключатель SA4 (переключатель SA2 должен быть разомкнут). При этом образуется генератор 34 с автотрансформаторной связью. Генерации добиваются при малом сопротивлении резистора R5. Индикаторами генерируемого напряжения являются неоновая лампа VL1H и кшкроамперметр, шунтированный диодом (при замкнутом выключателе SA5). Регулировкой сопротивления резистора R5 можно ориентировочно оценить коллекторный ток транзистора в генераторном режиме и сравнить однотипные транзисторы по этому параметру (большему сопротивлению резистора R5, при котором происходит срыв генерации, соответствует меньший коллекторный ток).

Для получения от прибора напряжения 34 к нему необходимо подключить заведомо исправный транзистор со статическим коэффицентом передачи тока Ьггэ = 30...40. При этом на выходе можно получить богатое гармониками напряжение до 30 В (выключатель SA5 разомкнут) или близкое к синусоидальному напряжение до 15 В (выключатель SA5 замкнут).

Измерение параметров полевых транзисторов

Основными параметрами полевых транзисторов, измеряемыми в любительских условиях, являются начальный ток стока 1с напряжение отсечки UsHoTc и крутизна вольт-амперной характеристики S.

Параметры полевого транзистора с р-п переходом и каналом типа р могут быть определены с помощью установки, схема которой приведена на рис. 10.38. При измерении параметров полевого транзистора с р-п переходом и каналом типа п полярности источников питания GB1, GB2 и измерительных приборов нужно поменять на обратные. Диапазоны показаний измерительных приборов выбираются в соответствии с ожидаемыми токами и напряжениями.

Крутизну характеристики S определяют как отношение изменения тока стока Д1с [мА] к вызвавшему его изменению напряжения между затвором и истоком AUsh [В]:

S = AIc/AUjH-

Крутизна S зависит от напряжения затвор-исток Узи и имеет максимальное значение Smai при Узи = О (при ЭТОМ ТОК стока максимален и равен 1с .ч)-

Напряжение затвор-исток Ujh, при котором ток стока достигает наименьшего значения (близкого к нулю), называется напряжением отсечки UjHoic-

Если известны или измерены значения 1с нач и UsH OIC, то крутизну S можно также приблизительно оценить по формулам

Sm.x (0,4...0,5)Ic ИЛИ

s s (i -Vuwu ЗИ OTch где UjH, UjH отс, В; S и S,mm mA/B; Ic мА.

Проверка исправности микросхем

Исправность цифровых (логических) микросхем характеризуется соответствием ее динамических и статических параметров паспортным данным.

Динамические параметры цифровых микросхем обычно измеряют при разработке новых типов микросхем, выходном и входном контроле на заводах-потребителях и в некоторых других случаях. В радиолюбительской практике провести такие измерения очень трудно и дорого, поскольку они требуют сложной автоматизированной ИИС с включением в нее измерителей интервалов времени, осциллографов и некоторых других столь же сложных и дорогих приборов. Поэтому радиолюбителю целесообразно при конструировании изделий использовать паспортные динамические параметры микросхемы, включаемой в конструкцию, а о ее годности судить по результатам контроля ее статистических параметров.

Трудности создания уш1фицированного прибора для проверки исправности статических параметров цифровых микросхем связаны с большим конструктивным и функциональным разнообразием этих схем.

Промышленность выпускает небольшое число типов испытателей цифровых микросхем для определения их исправности в статическом режиме. Неавтоматические испытатели цифровых микросхем обычно содержат: несколько регулируемых источников постоянного тока для запи-тывания соответствующих цепей проверяемой схемы; поле программирования (своеобразный штепсельный коммутатор), посредством которого осуществляется подача необходимых напряжение (токов) на соответствующие выводы микросхем; источники калиброванных уровней высокого и низкого напряжений (О и 1); контактные головки с набором стандартных разъемов, обеспечивающих подключение выводов различных типов микросхем к определенным гнездам поля программирования; вольтметр для из-




мерения напряжения на выводах микросхем напряжений высокого и низкого уровней (О и 1); системы переключателей, посредством которых изменяют полярности и значения подводимых к микросхемам напряжений и т.п.

Жесткие программы проверки конкретных типов микросхем (с указанием типов контактных головок, последовательностей замыканий контактов поля программирования, установки и измерения напряжений на электродах микросхем) приводятся обычно в инструкции по применению испытателя микросхем. Если при такой проверке все значения напряжений (токов) оказываются в соответствии с указанными в инструкции, микросхема признается исправной. В противном случае - неисправной.

10.6. ИЗМЕРЕНИЕ ЧАСТОТЫ И ДЛИНЫ ВОЛНЫ

Методы измерения частоты и длины волны

Конденсаторный метод. Принцип измерения частоты этим методом иллюстрируется рис. 10.39. Конденсатор С периодически подключается переключателем SA к источнику напряжения и и заряжается через него. Разрядка конденсатора происходит через измеритель РА магнитоэлектрической системы. Если переключение конденсатора С осуществлять с измеряемой частотой и обеспечить постоянство напряжений, до которых заряжается (Ui) и разряжается (u2) конденсатор, то через измеритель будет протекать ток разрядки, среднее значение которого lo = Cf.(Ui-U2).

Этот метод использован в конденсаторном частотомере (рис. 10.40), где роль пе-

и

<? -

Рис. М).39

реключателя выполняет транзистор VT1, который в отрицательные полупериоды измеряемого сигнала открыт и подключает один из конденсаторов С2-с5 к батарее. При этом конденсатор заряжается по цепи: плюс батареи-эмиттер-коллектор транзистора - конденсатор - открытый диод VD1-минус батареи. В течение положительного полупериода сигнала транзистор закрыт и конденсатор разряжается по цепи левая (по схеме) обкладка конденсатора-резистор R3-измеритель РА-открытый диод VD2-правая обкладка конденсатора. Так как постоянные времени цепей зарядки и разрядки конденсатора много меньше полупериода исследуемого сигнала, среднее значение тока, протекающего через измеритель, 1о = с2 ,5иГ где U-напряжение батареи. Следовательно, показания измерителя РА пропорциональны измеряемой частоте и шкала частотомера линейна. Для устранения погрешности, возникающей при изменении уровня входного сигнала, напряжение измеряемой частоты должно быть не менее 0,5 В.

В частотомере применен измеритель с током полного отклонения 50 мкА. Диапазон измеряемых частот 0... 100 кГц разбит на поддиапазоны с верхними пределами 0,1; 1; 10; 100 кГц. Для повышения точности измерения необходима предварительная калибровка прибора реостатом R4 на предельных частотах поддиапазонов (с помощью внещнего измерительного генератора), а также использование в приборе конденсаторов с малыми отклонениями номиналов от указанных в схеме.

Гетеродинный метод. Этот метод измерения основан на сравнении измеряемой частоты f, с точно известной частотой образцового генератора f . О равенстве частот судят по нулевым биениям, т. е. по пропаданию звука в телефоне-индикаторе или по показаниям вольтметра-индикатора нулевых биений.

В состав гетеродинного частотомера обычно входят перестраиваемый маломощный генератор (гетеродин), смеситель и индикатор нулевых биений. Простой гетеродинный частотомер (рис. 10.41) предназначен для измерения частот от 50 кГц до 30 МГц. Для работы в столь широком диапазоне используются гармоники частоты гетеродина, вьшолненного на транзисторе VT1. Измеряемый сигнал подается на зажим WA. Роль смесителя вьшолняет диод VD1. Индикатором нулевых биений служат головные телефоны BF с УЗЧ на транзисторе VT2. По-

С1 0,1 пк

\ R2

Z70k

R1 in

ев гг,ов

сг о,1пк

03 о, 01 пк

СЧ 1000

05 100

.. 100 .. 1000

увг

Д9Е

VB1 Д9Е

Rh 4,7к

РА) -г



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 [ 50 ] 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143