Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Классификация и характеристики магнитофонов 

1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143


Рис. 5.11

перегрузочную способность усилителя даже при работе с ГУ индуктивностью 0,1 ... 0,15 Гн.

Высокочастотную предкоррекцию формируют цепи LCR, шунтирующие резистор R22. Для получения наиболее равномерной АЧХ для каждого типа магнитной ленты использован отдельный LC контур, шунтируемый RC цепями. Резистор R24 предназначен для контроля тока записи (милливольтметром) при налаживании магнитофона. Усилитель записи может быть использован совместно с ГЗ и ГУ, имеющими индуктивность от 15 до 150 мГн.

Генераторы стирания и подмагничивания. В связи с жесткими требованиями к симметрии формы тока стирания и подмагничивания ГСП высококачественных магнитофонов выполняют, как правило, двухтактными. Требования к стабильности частоты невысоки, поэтому вполне пригодны LC генераторы с независимым возбуждением. Глубину положительной ОС выбирают в несколько раз большей, чем необходимо для выполнения условия самовозбуждения (баланса амплитуд), с тем, чтобы обеспечить работу транзисторов в ключевом режиме с высокой степенью насыщения. Благодаря этому может быть достигнута высокая стабильность амплитуды выходного напряжения генератора (а значит, и тока подмагничивания), определяемая практически стабильностью напряжения питания. Частоту генерации выбирают в пределах от 60 до 110 кГц, что обеспечивает одновременно низкий уровень интерференционных помех и небольшие потери в магнитопроводе магнитных головок.

Схемы наиболее распространенных ГСП с индуктивной и емкостной связью показаны на рис. 5.12. В ГСП с индуктивной связью (рис. 5.12,а) самовозбуждение происходит за счет напряжения ОС, подаваемого противофазно с обмотки ПГ трансформатора Т1 на базы транзисторов VT1, VT2. Оно переключает эти транзисторы попеременно из режима отсечки в режим насыщения и обратно. Фазы напряжения иа коллекторе и базе транзисторов должны быть противоположны, поэтому обмотки I и III должны быть включены встречно. Головки подключены к отдельной обмотке П. Это дает возможность развязать цепи головок по постоянному току и обеспечить требуемый ток стирания

3.3пГн СП \ -г0,018пк \r2B

гго

-зм.г

R30 220-

и подмагничивания. Как правило, параллельно обмотке II включают конденсатор, образующий вместе с индуктивностью головок и обмоток трансформатора колебательный контур, который задает частоту генерации.

В ГСП с емкостной связью (рис. 5.12,6) напряжение на базу транзисторов поступает через конденсаторы обратной связи С1 и С2. Глубину ОС определяет емкость конденсатора связи СЗ, благодаря этому отпадает необходимость в обмотке обратной связи и ее фазировании. В обоих ГСП на базу транзисторов (через резистор R1 и обмотку III трансформатора Т1 на рис. 5.12,а и через резисторы R1, R2 на рис. 5.12,6) подано небольшое открывающее напряжение. Оно переводит транзисторы в первый момент после включения питания в рюжим усиления, обеспечивая мягкое самовозбуждение генератора.

Индуктивность части обмотки, подключенной к ГС (II. 1), обычно выбирают в несколько раз (3 ... 10) больше, чем индуктивность ГС,

кгс

КГЗ

Рис. 5.12

утг VTI




Поэтому частоту генерации ГСП с индуктивной и емкостной связью с достаточной точностью можно вычислить по формуле

2яУс.Ьгс'

где С.-емкость конденсатора в цепи обмотки II; Lpr;-индуктивность ГС.

Коэффициент трансформации определяют исходя из требуемого тока стирания и подмагничивания. Напряжение на ГС, обеспечивающее номинальный ток стирания 1с.в„м, рассчитывают по формуле

Urc = 2nf,I,. Lrc-

Оно несколько вьппе требуемой ЭДС части стирающей обмотки Ец i, подключенной к ГС, из-за действия параллельного колебательного контура Lp(;C,. В связи с тем, что добротность этого контура зависит от потерь в ГС, а также эквивалентного сопротивления генератора и трансформатора, для ориентировочных расчетов принимают Ец 1 w Upc- Точное значение Egi, обеспечивающее заданный ток стирания, подбирают экспериментально с конкретной ГС. Поскольку амплитуда напряжения на коллекторной обмотке равна удвоенному напряжению питания и, , коэффициент трансформации Кц i = юд i/

, где (оц 1 и ю,-соответственно число

витков обмоток II.1 и I трансформатора Т1.

Напряжение подмагничивания на ГЗ, обеспечивающее номинальный ток подмагничивания

и

2яГД .

жом^гз-

Напряжение на всей обмотке II должно в 3 .. .5 раз превыщать это напряжение для возможности регулировки тока подмагничивания подстроечным резистором R (R2 на рис. 5.12,а, R3 на рис. 5.12,6), сопротивление которого должно в несколько раз превыщать индуктивное

сопротивление ГЗ на частоте f , т. е. R Х3...5) 2nf,Li.

Коэффициент трансформации обмотки, питающей ГЗ,

Кц = юп/т, =

(3.- S)Ur3

где юл-число витков всей обмотки питания головок. Если ГС имеет сравнительно большую индуктивность, то может оказаться, что напряжения и pc и (3 ... 5)Up3 примерно равны. В этом случае отвод питания ГС не нужен и головки включают параллельно.

Коэффициент трансформации обмотки обратной связи генератора по схеме на рис. 5.12,а определяют исходя из получения на базе транзисторов напряжения 1 ... 1,5 В: Кщ = ющ/а), = (0,7 ... 1,1)/и,ц. Емкость конденсаторов в генераторе по схеме на рис. 5.12,6 находят из условия С1 = С2 = С3/(3...7), причем СЗ С„ где С,-емкость коллектора транзисторов VT1, VT2. Сопротивление резисторов R1 = R2 и,.п/1кБО, где 1кБо-обратный ток коллектора транзисторов; для кремниевых транзисторов практически приемлемы значения R1 и R2 от 10 до 100 кОм. Транзисторы генератора выбирают, исходя из условий

икэдоо > 3U.. ,f i, > (20...40)f lK > Upc X X 1=.яо„/и,. .

Практическая схема ГСП высококачественного кассетного стереофонического магнитофона показана на рис. 5.13. Генератор рассчитан на работу с ГС индуктивностью 1 мГн и ГУ индуктивностью 45 ... 65 мГн. Конденсатор С7 задает частоту генерации = 105 кГц. Конденсаторы С8 и С9 образуют с универсальными головками последовательные колебательные контуры, настроенные на частоту f. Благодаря этому достигнуто дополнительное подавление высших гармоник тока подмагничивания. Хорошую симметрию тока стирания позволяет пблу-чить отрицательная ОС по току, напряжение которой выделяется на резисторе R10, включен-

*22В

УТг КТ815Г


,111т^пзА.шт sAf

С2-*--

Ф т

KJ503,

УТЗ КТ315Г

R9 5,1 к




ном в цепь эмиттеров транзисторов VT4, VT5.

Ток подмагничивания для лент I МЭК (FejO,) устанавливают раздельно для ГУ левого и правого стереоканалов резисторами R13, R14, а для лент II МЭК (СгО^) и III МЭК (FeCr) изменением напряжения питания генератора подстроечными резисторами R5 и R7 синхронно в обоих стереоканалах. (Соотношение токов подмагничивания в правом и левом каналах определяется только технологическим разбросом параметров ГУ и не зависит от типа ленты.) Точно подстраивают ток подмагничивания при эксплуатации магнитных лент разного типа регуляторами R4, R6, R8, выведенными на панель управления магнитофона.

Включением генератора управляет транзистор VT3. В режиме воспроизведения на его базу подают напряжение Uy p = 20 В, и он замыкает на общий провод базу транзистора VT1, отключая питание генератора. В режиме записи база транзистора VT3 заземляется и транзистор закрывается. Благодаря цепи R1, С1 напряжение на базе транзистора VT1 и на генераторе плавно увеличивается до значения, задаваемого делителями напряжения R1, R3-R8, что исключает намагничивание головки импульсами тока при включении. Конденсаторы С2, С6 и катушки индуктивности L1,L2 предотвращают паразитное проникание высокочастотного напряжения в цепи питания. Трансформатор Т1 выполнен в броневом феррнтовом магнитопроводе М2000НМ-15-Б18. Первичная обмотка содержит 2 х 50 витков, а вторичная-150 витков провода ПЭВ-1 0,16.

Типовая схема ГСП с индуктивной связью на специализированной микросхеме К157ХП2 изображена на рис. 5.14. Микросхема DA1 содержит стабилизатор напряжения с защитой выхода от перегрузки и перегрева (ток короткого замыкания 150 ... 450 мА) и два п-р-п транзистора с резисторами смещения. Выходное напряжение стабилизатора снимают с вывода 11. Оно может быть установлено в пределах 1,3 ... 33 В резистором R1. Для нормальной работы стабилизатора напряжение питания, подаваемое на вывод 10, должно превьппать выходное не менее чем на 2,5 В. Время нарастания (в миллисекундах) выходного напряжения до номинального при включении режима записи (выключателем SA1) приближенно равно емкости конденсатора С1, выраженной в микрофарадах.

сг Юнк 1+


СЗ Юпк

± то к

С1 1т

ктзозг =i= С5

0,1 ПК

Рис. 5.15

Схема бестрансформаторного ГСП показана на рис. 5.15. Генератор представляет собой модифицированный двухтактный автогенератор, собранный по схеме трехточки с емкостной ОС. Он выполнен на комплементарных транзисторах VT1, VT2. Роль индуктивности здесь играет ГС В1, образующая с конденсаторами С4 и С5 колебательный контур. Частота генерации равна

2я /L,

C4CS С4ТС5

При указанных на схеме номиналах элементов и использовании головки 6С249.10 с последовательным включением обмоток генератор позволяет получить на частоте 60 кГц ток стирания 120 мА и выходное напряжение 75 В при потребляемом токе 30 мА. При использовании головки ЗС124.21.0 и конденсатора С4 емкостью 0,01 мкФ частота генерации повышается до 90 кГц, ток стирания 120 мА, потребляемый-40 мА, а выходное напряжение равно 30 В. При использовании других головок следует иметь в виду, что частота генерации зависит в основном от емкости конденсатора С4, а выходное напряжение и ток стирания-от емкости С5.

Усилители воспроизиедеиия. Они предназначены для усиления и частотной коррекции сигнала ГВ с целью получения стандартного уровня выходного сигнала, совместимого с другими звеньями звуковоспроизводящего комплекса. Напряжение сигнала магнитной головки весьма мало (типовое значение 1 мВ на частоте 1 кГц), поэтому УВ является наиболее чувствительным узлом во всем канале звуковоспроизведения. При проектировании УВ следует стремиться к получению минимального уровня собственных шумов.

Частотная коррекция в УВ необходима по трем основным причинам. Во-первых, ГВ индукционного типа обладают дифференцируюадам свойством, т.е. их ЭДС пропорциональна скорости изменения магнитного потока и поэтому увеличивается с крутизной 6 дБ/октава при увеличении частоты и постоянном магнитном потоке ленты. Для компенсации дифференцирующего действия головки УВ должен иметь



1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143