Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Классификация и характеристики магнитофонов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [ 27 ] 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

о

16н

НП102 11 итог

ЮОк

о

1 ГОм

-1 ЮОмкА

ого

R2,2h

€5 Ъ-

КП102

8,8к

-25В 15к

Рис. 8.52

фотодиода, термопары и других чувствительных элементов.

Для усилителя на рис. 8.51, а 1 = 8 мкА; К^ = 2000... 10500; =+8...-6,3 В; R > St 700 Ом. Для усилителя на рис. 8.51,6 I = = 5 мкА; и^ , = + 3,5...3 В; = 700 Ом.

На рис. 8.52 приведена схема электрометрического усилителя постоянного тока с высоким входным сопротивлением и чувствительностью по входному току 10 А. Здесь использован полевой транзистор КП102 и балансный усилитель на транзисторах МП102. С помощью резистора R = 1... 2 кОм ток индикатора А регулируется так, чтобы полное отклонение стрелки индикатора (100 мкА) соответствовало входному напряжению 100 мВ.

Эмиттерные повторители. Эмиттерным повторителем называется транзисторный усилитель, в котором сопротивление нагрузки включено в цепь эмиттера (рис. 8.53). Такой усилитель отличается высоким входным и малым выходным сопротивлениями, а также малой входной емкостью. Эмиттерный повторитель может передавать без искажений щирокую полосу частот-от нескольких герц до нескольких мегагерц. Входное сопротивление повторителя тем выше, чем больше коэффициент усиления транзистора hjij,. Обычно входное сопротивление эмиттерного повторителя 40... 50 кОм. Для еще большего повышения входного сопротивления каскада используют составные транзисторы (рис. 8.54, а). Влияние второго каскада заключается в увеличении общего коэффициента передачи тока, который теперь равен hi, =

На рис. 8.54, б показано, каким образом изменяются коллекторные характеристики.

На рис. 8.55 приведена схема эмиттерного повторителя на составных транзисторах.

Аналогично эмиттерному повторителю на полевом транзисторе можно выполнить потоковый повторитель. Схема такого повторителя

Rb Оь.

гООпкА -- ImkA

tSOnxA

----ЗмкА

У^-,---

50пкА tmA

8 12 16 и, В В)

Рис. 8.54

С1 0,05 пк о-

R1 Зк

R2 68к

-о -9В

П2 ГТ109А

R3 Юк

Рис. 8.55

приведена на рис. 8.56. Здесь полевой транзистор использован для контроля напряжения на конденсаторе. Через смещенный в обратном направлении входной переход полевого транзистора протекает ток порядка 10 А. Такой небольшой ток оказывает существенно меньшее влияние на зарядку конденсатора по сравнению со смещенным в прямом направлении переходом биполяр-

Рис. 8.53 Рис. 8.56

9 +fr

L зи




VTI ?

310 и

2м 5В

Рис. 8.57

ного транзистора. На рис. 8.57, а, б приведены схемы истоковых повторителей с большим входным сопротивлением.

8.5. АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА АВТОМАТИКИ

Усилители

Предварительный усилитель. Предназначен для усиления сигналов, например, поступающих от пьезоэлектрического датчика (микрофона, гидрофона, акселерометра), до уровня, обеспечивающего надежную передачу их на вход основной аппаратуры.

Усилитель (рис. 8.58) выполнен по схеме усилителя зарядки на микросхеме DA1 н двух транзисторах VT1 и VT2. Микросхема DA1 представляет собой двухкаскадный усилитель на полевых транзисторах, что обеспечивает высокое входное сопротивление устройства. Каскад на транзисторе VT1 собран по схеме ОБ. На выходе усилителя включен эмиттерный повторитель на тран-зисюре VT2. Параметрический стабилизатор на стабилитроне VD1 обеспечивает развязку питающего напряжения. Коэффнщ1ент передачи усилителя К определяется соотношением емкости датчика С. и емкости конденсатора обратной связи СЗ. Так, для С, = 1000 пФ и СЗ = 20 пФ К = 50.

Требуемый коэффициент передачи устанавливается выбором емкости конденсатора СЗ.

Использование усилителя зарядки значительно уменьшает влияние емкости кабеля, которым датчик подключается к усилителю. Усилитель соединяется с комплектом основной аппаратуры посредством одного коаксиального или одножильного экранированного кабеля. При этом токоведущая жила кабеля одновременно используется и для передачи сигнала, и для подачи на усилитель постоянного тока питающего напряжения. Такое схемное и конструктивное решение особенно удобно при многоканальных измерениях и разных длинах входных кабелей.

Переключатель SA1, расположенный на корпусе усилителя, позволяет устанавливать одно из двух возможных входных сопротивлений; в положении А-не менее 200 мОм, в положении В-не менее 47 мОм. Коэффициент передачи усилителя 20... 100; диапазон рабочих частот 20 Гц... 20 кГц. В положении А переключателя SA1 неравномерность частотной характеристики не более ± 1 дБ, в положении В обеспечивается затухание б дБ на октаву. Максимальное выходное напряжение усилителя-0,5 В; коэффициент нелинейных искажений не более 1%; выходное сопротивление не более 500 Ом; уровень шумов, приведенный ко входу и измеренный при подключении эквивалентной емкости 1000 пФ в рабочей полосе частот, не более 10 мкВ; изменение коэффициента передачи при изменении температуры окружающей среды в пределах 20... 40°С не более ±1%; напряжение питания-27 В; потребляемый ток не более 16 мА. Усилитель размещается в корпусе с размерами 188 X 50 X 66 мм.

Усилитель сигнала фотодиода. Предназначен для усиления и последующего преобразования сигнала с расчетом на использование с микросхемами серии 133.

Схема УСФ приведена на рис. 8.59. Первый каскад собран на операционном усилителе DDI. Усилитель охвачен положительной (R6) и отрицательной (С2) обратной связью. Такая обратная связь обеспечивает большой коэффициент усиления и предохраняет усилитель от самовозбуждения. Этот каскад из входного сигнала колоколо-образной формы формирует прямоугольные им-

г

кг т

DAI KsymtB

КЗ 22h

VTt M3B

VTI Н2Б

сг ±

IOmk 4-

Kt S,8k -CZh

KC213S CS

C4 0,33mk

r\KB

usso

IOOmk

Выход

г

Выход



и

Вход о-

1ШД1А 9Г~

Cf i too

RB >

4= 71 VBf

RS ZZh

Ri 3,3h

ZHSOJA

R8 4,1 h

R7 fOO

Ф C3 1000

R9 f,5h

VTf ZT3ZBB

RID 1,5k

ZT306A

Rff %1к

fOMK

Ch XfffX X

0,fMK

BBZ fOSЛUf

\R1Z BZ

*1ZB -о

OS Imk

Выход 1 -о

ВыходZ -о

о Рис. 8.59

пульсы. Переменный резистор R5 служит для компенсации темнового тока фотодиода. Корректирующая цепь R7, СЗ подавляет помехи высокой частоты. Каскады, собранные на транзисторах VT1 и VT2, формируют импульсы с уровнями, необходимыми для микросхем серии 133. В выходном каскаде применена микросхема DD2, к которой непосредственно через согласованный кабель с волновым сопротивлением 75 Ом и длиной до 30 м подключаются входы микросхем серии 133. Для непосредственного подключения микросхем и через кабель с параллельным согласованием служит выход 1, а через кабель с последовательным согласованием-выход 2.

Усилитель имеет следующие основные характеристики; световой ток-9... 30 мкА; темновой ток-4... 20 мкА; частота входного сигнала-О... 1 кГц; нижний уровень выходных напряжений-0,4 В, верхний-2,4 В; длительность фронтов выходного сигнала-0,2 мкс.

Устройства дистанционного управления

Термометр иа терморезисторе. Предназначен для измерения температуры в диапазоне 0... +60°С с погрешностью ±1°С (рис.8.60).

В качестве термодатчика R12 в термометре использован кремниевый монокристаллический терморезистор, разработанный на базе одно-переходных транзисторов КТ117 (обозначение КТ117Д-условное). Терморезистор имеет номинальное сопротивление 10 кОм (±20%) при температуре 25°С и положительный ТКС 0,5... ... 0,7%/К при температурах - 50... +90°С. Положительный знак ТКС сохраняется до 130... ...150°С. Такой терморезистор по сравнению с поликристаллическими терморезисторами имеет более высокую стабильность и линейность температурной характеристики, а по сравнению с проволочными - большее сопротивление при малых размерах.

Термометр собран на микромощных операционных усилителях DA1, DA2. На микросхеме DA1 реализован стабилизатор образцового напряжения. Опорное низковольтное напряжение задает светодиод VD1. При токе через него 0,1 мА прямое падение напряжения составляет 1,7 В. Диод VD2 компенсирует изменения выходного напряжения стабилизатора в зависимости от температуры окружающей среды.

Терморезистор R12 включен в цепь ООС микросхемы DA2. Следовательно, ток через него поддерживается постоянным и определяется напряжением, снимаемым с делителя R5, R6, а

ф\ VBf ABfOZB

f,7B

Rf IBk BAf, BAZ KfifOyfifZ

Rh f,3t1

it...%5B +

VBZ ll RB RMSZfAi f2K

RZ Z7k

R3 fZK

R5 fzk

R7 7,Sk

R8 680

Rff 110 0,85nA SBI

L+ CI GB1

JjSmk-ISB 9B - ]

R10 3,3k

1 I T I

\jrCZ 15пк*15В


R1Z КТ117Д

Рис. 8.60



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [ 27 ] 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143