Исток Подложка

. . .0.S

Исток

18.6

£3

5.г

готзфз.г

Затвор-

ю

TP 69

Затвор Исток

TP 70

Затвор! Затвор21 ф2 5

Подломка-Народе

TP 71 Исток Затвор

Корпус-подложка Сток TP 73

TP 75

11,5 .

TP7B

19.5

ш

2,5 x 615

TP 78

18,5

ГМИП! i ii i

lJJjlUI

£[jirTTifTnriTi fm fmrm

Обозначение выводов 2,6.3,15 -ноллентор; 1,5,8,12-база; 5,7.10,14 -эмиттер; 4,11 -свободный; 15 - норпус.

L4JL4JL4JL4J IHjLHJ

0j52

TP 80

/4,5

TP77

,6l,257,5, J5

Места У морнировна

1 2345 6

0.45

14 211 3 4

10 7

TP 79

Место марнираВни,

3 4

(f-г I-1

S 7

i------------1

Обозначение выводов: 1,5,8,12-база; 2,6,9,13 -ноллентор; 3,1,10,14-змиттер; 15 - норпус; 4, 11 - сбододный.

284662

1111

709622

TP 81

TP8Z 12 11 10

Xf KomeKi ZSaiai; 3JjMummep; 5-база Z.

Обозначение 8ы8овов: 1,6, 7, tZ -эмиттер:3,4,9,10-Soja : Z,5,8,11 ~ ноллеитор', 1,Е,Ш,Ш-единичпый транзистор.

Окончание рис. 12.20

АЛС317(А,В}

2 3 4 5

А/1С317СВ,Г} об

ф ф ф ф ф

3 4

3IA3

Исполнение 1 Исполнение Z

14.хГ4 (остальное-см. ислолнение1)

Щ

7Ш^Щ

5 47А5 67Д

iPJp4!

f 62 ill, 6j bgbjbg bio

ДЛ3011А, АЛ3046, АЛ3048: 1-анод£; 2-онодЛ; J, Ь'Ла-тод общий; 4 -анод С; S-аноЯ Н; б-анодВ; 7-анодА; 9-онод Б; 10-оноО Р:АЯ304Г: 1~натод£; 2-натоВЛ;3, В-инод ибщий; 4-натодС; 5-нптад Н; В-нотодВ; 7-латвд А;9-нотод Б; 10-нотад F.

-1,6

ФФФФФФФ'

/Л