п-р-п

Статические параметры транзисторов

Ikbq-постоянный обратный ток коллектора; Ik3r-постоянный обратный ток коллектор-эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база-эмиттер;

ТэБо-постоянный обратный ток эмиттера; Тзу^ - постоянный ток утечки затвора;

-постоянный начальный ток стока; -кэ нас напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

нас-напряжение насыщения база-эмиттер; отс - напряжение отсечки полевого транзистора;

21 э-статнческий коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: отнощение постоянного тока коллектора к постоянному току базы.

Параметры в режиме малого сигнала

hj, 3 - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером;

hi, 3-входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером;

122 3-выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе в схеме с общим эмиттером;

S-крутизна характеристики полевого транзистора: отнощение тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком;

Q-емкость коллекторного перехода. Прн увеличении обратного напряжения емкость умень-щается;

С,-емкость эмиттерного перехода. При увеличении обратного смещения на эмиттере емкость уменьшается;

Сц -входная емкость полевого транзистора: емкость между затвором и соединенными вместе истоком и стоком;

и-проходная емкость полевого транзистора: емкость между стоком и затвором;

С22 ~ выходная емкость полевого транзистора.

Частотные параметры

fjj-предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора: частота, на которой модуль коэффициента передачи тока h2i3 I уменьшается на 3 дБ, т.е. по сравнению с его низкочастотным значением, т.е. до 07;

frp-граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой Ihji э1 транзистора, включенного в схеме с общим эмиттером, равен единице;

К, -коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Кур-коэффициент усиления по мощности биполярного (полевого) транзистора;

Ещ~ электродвижущая сила шума полевого транзистора;

Рвых-выходная мощность биполярного (полевого) транзистора.

Параметры транзисторов в табл. 12.88-12.96 приведены при нормальной температуре окружающей среды (25 °С).

Корпус (рис. 12.20)

12.13. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор-полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании явлений излучения, передачи или поглощения в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра. Габаритные и присоединительные размеры оптоэлектронных приборов показаны на рис. 12.21. Буквенные обозначения параметров даны в соответствии с ГОСТ 23562-79 Оптопары. Термины, определения и буквенные обозначения параметров .

Светоизлучающий диод - полупроводниковый прибор с одним переходом, в котором осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излучения, предназначенный для использования в устройствах визуального представления информации. Основные параметры диодов при нормальной температуре окружающей среды приведены в табл. 12.96, где 1-сила света; В-яркость; Я, -длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения.

Излучающий диод ЯА-диапозоно-полупроводниковый диод, в котором осуществляется непосредственное преобразование электрической энергии в энергию инфракрасного излучения. Основные параметры диодов при нормальной температуре окружающей среды приведены в табл. 12.97, где Р-мощность излучения; Р,-импульсная мощность излучения; Я,,-длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения; А^-ширина спектральной характеристики излучения на уровне 0,5 максимального значения.

Полупроводниковый знаковый индикатор-ло-лупроводниковый прибор, состоящий из нескольких светоизлучающих диодов, предназначенный для использования в устройствах визуального представления информации в качестве индикатора знаков. Основные параметры индикаторов приведены в табл. 12.99, где К - относительный разброс яркости или света оптоэлектронного прибора; Р-мощность излучения.

Оптопара - оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом.

Основные параметры оптопар и оптоэлектронных ключей при нормальной температуре окружающей среды приведены в табл. 12.98, где входной ток оптопары; U . -напряжение между входом и выходом; U p-обратное входное напряжение; 1, ,(1,, Л-импульсный (постоянный) выходной ток; 1°-входной ток логического нуля; 1°,-втекающий выходной ток нагрузки; 1 - входной ток логической единицы; Ij-вытекающий выходной ток нагрузки; и,о 1~ коммутируемое напряжение на выходе ;

постоянный коммутируемый ток на выходе; (du/dt), ,-скорость изменения напряжения, прикладываемого к выходной цепи; Р„ р-потребляемая мощность; Kj-коэффициент передачи тока; и„-входное напряжение; U -напряжение питания; U,,-выходное остаточное напряжение- Iy,., -TOK утечки на выходе оптопары; и°ых и^-выходное напряжение логического нуля, единицы; U p, U sp..Mx-выходное прямое, обратное напряжения; С„ ,,-емкость между входом и выходом оптопары; сопротивление изоляции между входом и выходом оптопары.