Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Двухэлектродные лампы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [ 22 ] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32

деляется между экранирующей сеткой и анодом и, следовательно, представляет собой сумму токов экранирующей сетки й анода:

/к = а + hi-

Зависимость этих токов от напряжения анода при постоянном напряжении экранирующей сетки показана на рис. 3.7. Как и в триоде, здесь можно указать два характерных режима токораспределения: режим прямого перехвата электронов экранирующей сеткой {Ug > > 0,1-ь0,56с2) и режим возврата электронов к эюанирующей сетке {Ua, < 0,1-ьО,5л2)-

а. Режим прямого перехвата электронов

При больших анодных напряжениях (б'д >0,l-T-0,56g2) ток экранирующей сетки образуется электронами, которые перехватываются витками сетки из общего потока, идущего на анод. Ток перехвата мало зависит от анодного напряжения (см. рис. 3.7), так как поле анода сквозь экранирующую сетку проникает очень слабо и на траектории электронов, движущихся от катода к экранирующей сетке, почти не влияет.

В соответствии с общей закономерностью токораспределения отношение токов анода и экс

щей сетки ~ зави-

сит лишь от отношения напряжений электродов, прежде всего

от и не зависит

от абсолютной величины этих напряже-Рис. 3.8. Зависимость коэффициента jjjjg pj о о

токораспределения- от отношения нап- г. та по а ряжений анода и экра пирующей сетки в представлена экспе-пентоде риментальная зависи-


фанирую-

мость = / {тг], из которой видно, что при изме-нении напряжения экранирующей сетки в широких пределах коэффициент токораспределения /с = --- при задан-ном отношенииизменяется незначительно.

Коэффициент токораспределения в этом режиме сравнительно слабо зависит и от величины катодного тока (рис. 3.9), что свидетельствует о малом влиянии простран.


ко.. 3.9. Токораспределение в пентоде в режиме перехвата

ственного заряда на распределение потенциала в лампе. Токи в режиме прямого перехвата связаны пэчти линейной зависимостью и коэффициент токораспределения пентода может быть определен следующей эмпирической зависимостью;

(3.7)

Коэффициенты а и b для данного типа лампы являются практически постоянными величинами, мало зависящими от режима. Например, для пентода 6Д1П а - \, b - 0,15; для пентода 6Ж5П а ~ 0,5, b = 0,21.

б. Режим возврата электронов

При малых анодных напряжениях (i/g < 0,l-f-0,5(/oa) неоднородное поле витков экранирующей сетки существенно искривляет траектории электронов и уменьшает



КЛаЛсьМа

6МП-Е

Vci=SOS

. Га Возникновение виртуального катода

компоненту их скоро- сти, направленную к аноду, настолько, что она оказывается недостаточной для преодоления тормозящего поля анода. В результате такие электроны возвращаются обратно на экранирующую сетку. Чем меньше анодное напряжение, тем большая часть электронов

.... возвращается на эк-

0 It 8 12 16 20 24 28ila*Ia\Ma ранирующую сетку,

тем сильнее возраста-3.10. Токораспределение в пентоде в режиме возврата


6ШП-Е Ua=W8 Uci=SOe

ет ее ток и падает ток анода (см. рис. 3.7).

В режиме возврата наблюдается более сильная зависимость анодного тока от напряжения анода, чем в режиме прямого перехвата, так как анодное поле, воздействующее на электроны возврата, не ослабляется на этом участке экранирую- . : : --ТГ щей сеткой. Наблюда--6 -5-4-3-1-10 1 г 3 и Uc 8 ется и повышенное

влияние анодного напряжения на катодный ток, что обусловлено действием электронов возврата, которые проникают в область управляющей сетки и изменяют величину результирующего поля у катода, определяющего катодный ток.

В режиме возврата плотность пространственного заряда на участке экранирующая сетка - анод резко возрастает.


Рис. 3.11. Зависимость токов пентода от напряжения управляющей сетки в режиме возврата

Б результате этого появляется значительная зависимость коэффициента токораспределения от величины катодного тока (рис. 3.10). Прн большой плотности пространственного заряда в области между защитной и экранирующей сетками возникает виртуальный катод, возврат электронов к экранирующей сетке увеличивается и коэффициент токораспределения падает. Из-за появления виртуального катода анодный ток пентода в режиме возврата с ростом напряжения управляющей сетки, достигнув некоторого максимального значения, начинает уменьшаться (рис. 3.11).

Статические характеристики пентода

Прежде всего рассмотрим зависимость токов анода и экранирующей сетки от напряжения управляющей сетки при постоянных напряжениях других электродов.

бтт-Е

Ua=120e

UczSOe

Для этой цели используем закон степени 3/2 для катодного тока (3.5) и соотношения, аналогичные зависимости (2.28):

Было установлено, что коэффициент токораспределения к в режиме прямого перехвата практически не зависит от катодного тока (см. рис. 3.9). Поэтому при изменении напряжения управляющей сетки и при постоянных напряжениях анода н экранирующей сетки токи анода и экранирующей сетки составляют определенную постоянную долю от тока катода. Следовательно, характеристики /а = / (Uci) и /с2 = / (Уа) имеют такой же вид, как характерист{1ки /к = / (t/ci) (рис. 3.12).

12

f*J 1--

-5-4 3-2-10 1 2 3 UUc.S

Рис. 3.12. Зависимость токов пентода от напряжения управляющей сетки в режиме перехвата



Напряжение запирания лампы по управляющей сетке найдем из соотнощения (3.5), приравняв нулю действующее напряжение Udi- При t/сз = О получим, что запирающее напряжение первой сетки

-{D,U + DV,). (3.8,

Ввиду малости величины общей проницаемости сеток D = D1D2D3 Напряжение запирания почти не зависит от анодного напряжения, а определяется напряжением экранирующей сетки. Например, при типичных значениях


U>f60i{

Рис. 3.13. Влияние напряжений анода и экранирующей сетки на анодно-сеточные характеристики пентода

Проницаемости = D3 = 0,1, D2 = 0,01 и при t/a = = t/c2 = 100 в первое слагаемое - DJJai = -10 в, а второе-Dt/a =-0,01 в. Таким образом, изменяя напряжение экранирующей сетки, можно регулировать сдвиг анодно-сеточной характеристики пентода в область отрицательных напряжений управляющей сетки. Следовательно, пентод, обладая высоким статическим коэффициентом усиления, может одновременно иметь левые анодно-сеточные характеристики, что очень важно при использовании его в качестве усилителя, работающего без сеточных токов; подобным же свойством обладает и тетрод.

На рис. 3.13 показано, как изменяются рассмотренные характеристики при изменении напряжений анода и экра-

пирующей сетки. При увеличении напряжения анода (от {/а до и а) возрастает крутизна характеристики анодного тока 1а = f (Oai), так как становится больше в соответствии с соотношением (3.7) коэффициент токораспределения к. Сдвиг характеристик при изменении анодного

mtn-£

Uc3-0 UciSOe


Uc,-39 tSOafi

Рис. 3.14. Анодные характеристики пентода при i/c2=consl

напряжения, как следует из (3.8), практически не изменяется. Если же увеличивается напряжение экранирующей сетки (от (/с2 до с2), то анодно-сеточные характеристики заметно сдвигаются влево. Соответственно изменякугся и характеристики тока экранирующей сетки.

На рис. 3.13 показаны также характеристики тока управляющей сетки /с1 == / (ci). который в соответствии с общими законами токораспределения уменьшается при увеличении напряжений экранирующей сетки и анода.

Анодные характеристики пентода, определяющие зависимость тока анода от напряжения анода

/a = f(f/a).

рассмотрены при изучении процессов токораспределения в пентоде (см. рис. 3.7). Для практических расчетов обычно v-используют семейство характеристик /а = / (а) при И^г - =const и различных t/ci, показанное на рис. 3. 4 и приводимое в справочниках. По этому семейству можно сде-



remote computer control software free
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [ 22 ] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32